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BSC600N25NS3 G /MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC600N25NS3 G的规格信息
BSC600N25NS3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Id-连续漏极电流:25 A

Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:25 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:BSC600N25NS3GATMA1 BSC6N25NS3GXT SP000676402

单位重量:100 mg

供应商BSC600N25NS3 G
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSC600N25NS3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSC600N25NS3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSC600N25NS3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司BSC600N25NS3 G 其他被动元件深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司BSC600N25NS3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司BSC600N25NS3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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芯莱德电子(香港)有限公司BSC600N25NS3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司BSC600N25NS3 G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司BSC600N25NS3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司BSC600N25NS3 G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司BSC600N25NS3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市毅创腾电子科技有限公司BSC600N25NS3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市宇浩扬科技有限公司BSC600N25NS3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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集好芯城BSC600N25NS3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司BSC600N25NS3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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BSC600N25NS3 G连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO484.99 Kbytes共9页BSC600N25NS3 G的PDF下载地址
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